移动应用为DRAM注入发展动力 - 鼎好电子网网站地图鼎好电子网欢迎您! | 咨询热线：0571-81060169,85120159 今日最新信息,IC采购(2586)条,非IC供应(33)条,非IC求购(25)条 [登录] 免费注册 | 建议合作首页 IC芯片电子产品信息百科技术资料电子资讯代理商查询 IC厂商查询 IC替换查询免费注册会员，立刻拥有专业强大的电子商务系统,发布供求信息、IC芯片采购、产品推广、帮您做生意！ IC库存PDF资料供应信息求购信息全部地区北京上海广东浙江江苏山东陕西全球领先的电子、IC网、电子元器件交易电子商务平台. 热门搜索：BSS138 RHRP30120 PSB7200ZDW 050NGOP 1N5822LT1 835-00085T T6963C GD75232 您当前的位置：IC电子网 >电子资讯 > 业界动态 > 移动应用为DRAM注入发展动力移动应用为DRAM注入发展动力 icmade.com 新闻出处：IC交易网发布时间：2011-4-25 0:00:00

移动 DRAM (Mobile DRAM)厂商正面临着库存不足，以及因应智慧手机(Smartpnohe)和平板装置(Tablets)而生的对产量及带宽需求，迫使业者必须转向下一代技术的挑战。在广泛的DRAM领域内，所有业者都竭尽全力争取移动DRAM这一市场，希望跟上此一领域对产量和带宽需求的快速变化。 mobile DRAM是一种纳入低功耗特性的特殊DRAM。包括尔必达(Elpida)、海力士(Hynix)、美光(Micron)和三星(Samsung)等主要供货商，都面临着OEM客户的智能手机和平板装置热销所引发的库存不足问题。据市场消息指出，尔必达将大部份PC DRAM产能转为生产mobile DRAM，以因应苹果(Apple)公司的iPad 2需求。同一时间，手机市场的带宽要求也不断对当代mobile DRAM技术提出挑战，迫使厂商们朝下一代标准转移。 “对带宽的要求已达到颠峰，”参与设计下一代内存技术的Serial Port Memory Technology (SPMT)联盟总裁Jim Venable说。目前最快速的mobile DRAM技术──低功耗双倍数据率2 (LPDDR2) mobile DRAM“也已经快要走到尽头了”，Venable表示。

各阵营都推出了下一代mobile DRAM技术，以响应迫切需要更多带宽的要求。目前主要参选技术有 LPDDR3, LPDDR4 ，移动产业处理器接口联盟的M-PHY，Rambus的 Mobile XDR，Silicon Image公司的 SPMT 和 wide I/O。三星和其他业者支持wide I/O，而美光科技正在推动 LPDDR3。三星半导体的mobile DRAM总监 Mueez Deen指出，要预测哪个技术是赢家还为时过早，但他表示，未来针对主流设备，市场只能容纳“一种新技术”，或有可能“前两大技术并存”。带宽问题迫使业界不断呼喊着新技术。举例来说，LG电子最近推出具备‘裸视型’3D显示、双相机镜头和HD视讯功能的4G智能手机 Optimus 3D 。 LG 的智能手机是采用德州仪器(TI)的 OMAP 4 双核心应用处理器，以及LPDDR2 mobile DRAM。另外，苹果 iPad 2 也采用 LPDDR2 mobile DRAM。然而，有些人甚至在 LPDDR2 量产前就认为该技术已经过时了。基于LPDDR2的mobile DRAM技术具有最大8.5GB/s的峰值数据吞吐量，估计耗电量为360mW。到2013年，该产业的数据传输速率至少会达到500Mw、12.8GB/s，”Rambus策略开发副总裁Herb Gebhart说。 TI的OMAP 5应用处理器产品线经理Brian Carlson)表示，mobile DRAM未来也许要达到25.6GB/s的水平。目前的挑战是如何开发出更快的技术，但又同时减小芯片尺寸及功耗，以延长电池寿命。行动内存的风险很高。在智能手机和平板装置热销之前，mobile DRAM一直被认为是内存市场中的“一滩死水”，IHS iSuppli分析师Mike Howard说。现在，由于智能手机和平板装置的缘故，mobile DRAM预估2011年可成长71%。 mobile DRAM的成长已超越整体 DRAM业务。在PC一片不景气声中，DRAM市场2011年预估将达 355亿美元，比2010年的403亿美元下跌11.8%，IHS表示。

未来，智能手机和平板装置中的DRAM含量将从今天的512MB提高到1GB，相较之下，PC的DRAM平均含量3.4至3.5GB左右，Raymond James & Associates分析师Hans Mosesmann说。由于手机对尺寸与功耗的严格需求，mobile DRAM成本大约是PC DRAM的2~4倍以上。mobile DRAM的业务模式是以依订单生产(build-to-order)为主，驱动价格下降的因素是成本降低，而非像DRAM一样依照供给和需求的波动，IHS的Howard说。但随着竞争加剧，可预测的供给/需求模型逐渐失效。现在的供给和需求看来是平衡的，但第二季将出现供过于求，Howard说。“另外，我们也看到下半年将出现供应吃紧的情况。” 带宽需求驱动技术发展从技术端来看，该领域预期将出现大幅的变化。上一代mobile DRAM是基于低功耗同步DRAM技术，最近一代的是LPDDR1。 LPDDR1 mobile DRAM是1.8V、200MHz的组件，吞吐量为400MB/s。 LPDDR1已经遭遇性能极限，厂商们正在加速提供以LPDDR2为基础的组件，这些1.2V的组件据说可降低50%以上的功耗。LPDDR2藉由采用数组自刷新等技术来达到降低功耗的目标。 LPDDR2运作在100~533MHz，数据传输速率从200~1,066MB/s。最多可将4个组件以层迭式封装(PoP)整合，从而制造出总数据率8.5GB/s的产品。就在业界厂商生产 LPDDR2组件之际，美光则领先朝LPDDR3转换，据表示，这种新组件运作在800MHz，或可达1.6GB/s。在整合4个组件后，美光的mobile DRAM架构总监Dan Skinner表示，LPDDR3的峰值吞吐量可以达到12.8GB/s。 LPDDR2将能满足大多数行动通讯系统的要求，但在短期内，“前10%的最高阶系统将会需要LPDDR3，Skinner说。Skinner同时主持JEDEC的LPDDR3任务小组。LPDDR3的最终草案规范将在今年底完成。但竞争对手三星对LPDRR3反应冷淡；LPDDR2的寿命还没到尽头，至少到2012年它都将是一种内存选项，三星的Deen说。三星已开始出货 533MHz、4Gb的LPDDR2 mobile DRAM，采用30nm级技术。新组件将让行动装置拥有更长的电池寿命，Deen表示。在此之前，必须用4个2Gb的LPDDR2芯片堆栈，以建构一个储存密度达1GB的组件。而现在，据Deen表示，只需堆栈两个4Gb LPDDR2便可达到相同的1GB密度，同时可减少20%的封装高度，且功率也能降低25%。除了LPDDR2，三星已宣布支持SPMT和wide I/O。wide I/O运作在较低的频率以降低功耗。传统 DRAM有多达 32个数据信道。据该技术的支持者指出，wide I/O DRAM则是四通道、128线(lane)技术，总共可提供512个I/O，总带宽达12GB/s。厂商们希望2013年能推出wide I/O DRAM。在更远的未来，供货商认为他们可采用基于硅穿孔(TSV) 3D堆栈技术来整合多个wide I/O内存，但目前TSV昂贵的建置成本和缺乏EDA工具支持仍是主要障碍。 “TSV还没有准备好，”SPMT的Venable说。LPDDR2已来日无多，而 LPDDR3 是一种‘治标’的技术，尽管它速度快，但却会消耗更多功率。尽管尚未证实，但SPMT声称已握有解决方案。去年，SPMT放弃了原有的串行方法，推出平行/串行混合技术。这种称之为 SerialSwitch 的技术运作在1.6GB/s平行模式，而在串行模式下每信道运作速度可达6.4GB/s。 SPMT小组成员包括ARM、海力士、LG电子、Marvell、三星电子和Silicon Image。第一款基于SPMT的DRAM预计今年底问世。在此同时，Rambus公司称其Mobile XDR可提供高达17GB/s的带宽。Mobile XDR补足了LPDDR3的不足之处，Rambus的Gebhart说。LPDDR3 500mW功耗阈值的特性已经“超过”了这个产业的目标，他说。“ LPDDR3确实可提供足够的带宽，但它的功率太高了。” 那么，下一步又是什么？部份业界人士已经开始讨论 LPDDR4──它可能实现，也可能不会实现。我们还可看到另一种技术M-Phy，该技术由行动产业处理器接口联盟支持。 MIPI规格是专门用于显示器、相机、音频、视讯、内存、电源管理和基频到射频通讯等应用中的芯片-芯片接口。它与mobile DRAM有一些间接竞争关系，但对内存也有一些影响。

步履蹒跚的技术竞赛而下一代mobile DRAM技术谁将获得最后胜利？尽管尚未有定论，但wide I/O DRAM技术看来稍微领先。据报导，诺基亚已通过该规格，而Hynix和三星也纷纷跟进。但其他的手机公司并未发表意见。摩托罗拉(Motorola)和RIM并未就此议题的采访作出响应。而苹果则或许是全球最神秘的厂商。一个最有可能的线索是观察应用处理器供货商。应用处理器支持的智能手机、平板计算机和其他行动设备的许多功能，如无线连接、电源管理、音频和视讯等。每一款应用处理器也都支持特定OEM制造商认可的mobile DRAM标准。

作为应用处理器供货商，TI正密切关注视所有的技术标准，但看来似乎已出现领先者。“wide I/O拥有许多优势，”TI的Brian Carlson说。“最终整个产业将往该技术转移。” Qualcomm的应用处理器副总裁Raj Talluri则表示，要预测何者胜出为时尚早，但他同时指出，业界一直在企求“更多的CPU处理能力”，以满足新兴数据密集型应用的要求。事实上，行动设备对带宽激增的需求，也刺激业者推出更强大的应用处理器。该领域的主要竞争厂商包括Nvidia、高通(Qualcomm)和德州仪器。今年稍早，高通公布其Snapdragon系列应用处理器的下一代架构。该处理器微架构代号是 Krait，据说每个核心可提供高达 2.5 GHz的速度。该技术是以ARM架构和28nm制程为基础，预计将推出单、双核心和四核心版本。 TI最近推出采用28nm制程的多核心OMAP 5。该处理器将有两个版本：针对智慧手机的OMAP5430；以及针对行动运算和消费性产品的OMAP5432。

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